特許

J-GLOBAL ID：200903057773550040

半導体装置およびその製造方法

発明者： 嶋田 恭博 ,  井上 敦雄 ,  有田 浩二 ,  那須 徹 ,  長野 能久 ,  松田 明浩
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017759
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 高温熱処理の場合配線層と拡散障壁層とのコンタクト部に電極の白金と配線層のアルミニウムとの共晶反応が起こり、また低温熱処理の場合トランジスタのオーム性電気接続が形成できないという課題を解決する。【構成】 シリコン基板1の上面に第1の絶縁膜6を介して設けられた容量素子の下電極7および上電極9と配線層15との間にチタン-タングステンよりなる第1の拡散障壁層17aおよび第2の拡散障壁層17bの2層の拡散障壁層を形成する。【効果】 配線層の垂直方向の粒界拡散を抑制でき、白金電極とアルミニウム配線層との共晶反応を抑制でき、さらにトランジスタ等の回路素子の拡散層と拡散障壁層を介した配線層との電気的接続のオーム性を信頼性よく保持できる。

請求項（抜粋）：

集積回路が形成されている支持基板上に、第1の絶縁膜を介して前記支持基板の上面に選択的に形成された下電極と、その下電極の上面に形成された高誘電率を有する誘電体からなる容量絶縁膜と、その容量絶縁膜の上面に前記下電極と接触することなく形成された上電極と、前記下電極、容量絶縁膜および上電極を覆いかつ前記下電極および前記上電極へ独立して電気的配線を施すためのそれぞれコンタクト孔を有する第2の絶縁膜と、少なくとも前記コンタクト孔を覆って前記第2の絶縁膜の表面に選択的に形成された拡散障壁層および配線層とを備え、前記拡散障壁層がそれぞれ第1の拡散障壁層と第2の拡散障壁層の少なくとも2層より構成され、その第1の拡散障壁層と第2の拡散障壁層を介して前記下電極または上電極と前記配線層とが電気的に接続されている容量素子を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-162478   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-296262
  
• 容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264547   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-280425
  
• 半導体装置の多層配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287655   出願人：ソニー株式会社