特許
J-GLOBAL ID：200903057775211056

プラズマ化学気相成長装置

発明者：
田桑 哲也

田桑 哲也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-280154
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】 平行平板型プラズマ化学気相反応装置においてチタン系材料を形成する際に、膜均一性と膜質を改善する。【解決手段】 金属膜の面内均一性及びバリア性を解決するための手段として、プラズマ化学気相成長法が内部に半導体基板より外周部のサセプターをセラミックス系材料のサセプターカバーで覆うこと、もしくは、化学気相反応装置の内部に半導体基板より外周部のサセプターを覆ったセラミックス系材料からサセプターカバー一体型インナーベルジャーを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を平行平板型電極の一方の電極を構成するサセプター上に載置して加熱し、前記平行平板型電極の他方の電極との間で発生させた原料ガスのプラズマにより前記半導体基板上に薄膜の成長を行うプラズマ化学気相成長装置において、前記サセプターの上面の前記半導体基板に覆われない表面と前記表面の上に位置する前記プラズマとの間にセラミックス系絶縁材料が設けられていることを特徴とするプラズマ化学気相成長装置。
IPC (6件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (3件)

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