特許
J-GLOBAL ID：200903098236130032
金属含有膜の製造方法と装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078887
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288232
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハなどの目的物の表面に対して、コンフォーマルな金属含有膜を成膜することができ、しかも汚染の原因となるパーティクルの発生を抑制し、且つ安定したプラズマ状態を実現することができる金属含有膜の製造方法と装置を提供すること。【構成】 化学気相成長装置のチャンバー24,24c内部に、金属含有膜が表面に成膜される予定のウェーハ28を設置する。次に、金属元素を含む原料ガスのプラズマ状態を、ICP、TCP、ヘリコン波、ECRなどで実現し、チャンバー内でプラズマ状態の原料ガスに含まれる金属元素を、ウェーハ28の表面に堆積させて、ウェーハ28の表面に金属含有膜を成膜する。金属含有膜の成膜と同時、または成膜中に間欠的に、または成膜後に、チャンバー24,24cの内側壁に付着する金属含有膜を除去する。
請求項（抜粋）：
化学気相成長装置のチャンバー内部に、金属含有膜が表面に成膜される予定の目的物を設置する工程と、金属元素を含む原料ガスのプラズマ状態を実現し、チャンバー内でプラズマ状態の原料ガスに含まれる金属元素を、上記目的物の表面に堆積させて、目的物の表面に金属含有膜を成膜する工程と、上記金属含有膜の成膜と同時、または成膜中に間欠的に、または成膜後に、チャンバーの内側壁に付着する金属含有膜を除去する工程とを有する金属含有膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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