特許

J-GLOBAL ID：200903057776900939

磁気抵抗効果素子

発明者： 上口 裕三 ,  岩崎 仁志 ,  斉藤 和浩 ,  福澤 英明 ,  福家 ひろみ ,  佐橋 政司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266334
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】Co合金のような高保磁力材料を用いた場合でも良好な軟磁気特性を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性導電体層と、この第1の強磁性導電体層上に積層された非磁性導電体層と、この非磁性導電体層上に積層された第2の強磁性導電体層とを備え、磁気抵抗効果を示す積層体と;この積層体に形成された一対の電極とを具備し、この第1及び第2の強磁性導電体層の少なくとも一方が、磁化容易軸方向の異なる第1及び第2の強磁性膜、例えばCo合金膜を含んでいることを特徴とする磁気抵抗効果素子である。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性導電体層と、この第1の強磁性導電体層上に積層された非磁性導電体層と、この非磁性導電体層上に積層された第2の強磁性導電体層とを備え、磁気抵抗効果を示す積層体と;この積層体に形成された一対の電極とを具備し、この第1及び第2の強磁性導電体層の少なくとも一方が、磁化容易軸方向の異なる第1及び第2の強磁性膜を含んでいることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-223277   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206311   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-027827   出願人：名古屋大学長, 株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果型トランスジューサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214846   出願人：富士通株式会社