特許
J-GLOBAL ID：200903082673489860
電界放出型陰極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051804
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222122
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】〔目的〕 微細で多数の陰極群を対象に半導体集積回路の場合とほぼ同様の製造工程を経て容易に製造可能な構造のダイヤモンドを利用した電界放出型陰極を提供する。〔構成〕 開口が形成されたダイヤモンドの層(13)と、このダイヤモンドの層(13)を介在させながら上下に配置され上記開口の近傍においてこのダイヤモンドの層(13)内に電子を注入する注入用電極対(11,14) と、このダイヤモンドの層(13)の上記開口の内周面から外部に電子を引き出すための電界をこの開口の内周面上に発生させる引出し用電極(16)とを備える。
請求項（抜粋）：
開口が形成されたダイヤモンドの層と、このダイヤモンドの層を介在させながら上下に配置され前記開口の近傍においてこのダイヤモンドの層内に電子を注入する注入用電極対と、前記ダイヤモンドの層の前記開口の内周面から真空中に電子を引出すための電界をこの開口の内周面上に発生させる引出し用電極とを備えたことを特徴とする電界放出型陰極。
引用特許：
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