特許
J-GLOBAL ID：200903057842474334

半導体製造装置および静電気除去方法

発明者：
園田 明弘

園田 明弘 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077006
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ表面から静電気を除去することのできる機能を備えた半導体製造装置及び、ウェハ表面からの静電気除去方法。【解決手段】 ウェハ16を支持するウェハ支持部14を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体製造装置10であって、上記雰囲気中にイオンを発生させるイオン発生部18を具え、このイオン発生部から発生するイオンが上記ウェハ支持部に支持されるウェハの表面16aに到達するようにしてある。
請求項（抜粋）：
ウェハを支持するウェハ支持部を具え、該ウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体製造装置において、前記雰囲気中にイオンを発生させるイオン発生部を具え、該イオン発生部から発生するイオンが前記ウェハ支持部に支持されるウェハの表面に到達するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/02 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/38 501
FI (5件)：
H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/02 Z ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 569 C
Fターム (16件)：
2H025AB16 ,  2H025EA05 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096CA14 ,  2H096CA20 ,  2H096GA33 ,  2H096GA60 ,  5F046JA07 ,  5F046JA10 ,  5F046JA16 ,  5F046JA25 ,  5F046LA05 ,  5F046LA07 ,  5F046LA08 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平2-148827
  • ウエツト処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182832   出願人：日本電気株式会社
  • 回転塗布装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232271   出願人：大見忠弘
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-148827
  • ウエツト処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182832   出願人：日本電気株式会社
  • 回転塗布装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232271   出願人：大見忠弘

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