半導体加速度センサの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357825
公開番号（公開出願番号）：特開2003-156510
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】撓み部の耐衝撃性を向上させる面取り部を容易に形成できる半導体加速度センサの製造方法を提供する。【解決手段】撓み部1cの両端部において重り部1aの側面およびフレーム部1bの内側面とそれぞれ滑らかに連続する面取り部1pを形成するp形拡散層1kを設ける。その後、アルカリのシリコン異方性エッチング液を用いたエッチングによってスリット1dを形成する。

請求項（抜粋）：

枠状のフレーム部、スリットを挟んで前記フレーム部に囲まれた板状の重り部、および各一端がそれぞれ前記フレーム部の内側面及び前記重り部の側面に一体に連結され他の部位よりも薄肉に形成され前記重り部を支持する撓み部が形成され、前記重り部が力を受けて前記フレーム部に対して変位するときに前記撓み部に生じる機械的歪みを検出する歪みゲージが前記撓み部に設けられたセンシングエレメントを備え、前記重り部の側面及び前記フレーム部の内側面に滑らかに連続した面取り部が前記撓み部の側面の一端部及び他端部にそれぞれ形成された半導体加速度センサの製造方法であって、後工程で用いるエッチング液によるエッチングを阻止するエッチングストップ層を前記面取り部をなす形状に前記半導体基板に形成した後に、前記エッチング液を用いて前記半導体基板に前記スリットを形成することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。

IPC (3件)：

G01P 15/12 , H01L 21/306 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 A , H01L 21/306 B

Fターム (22件)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA28 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112DA13 , 4M112DA18 , 4M112EA01 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112EA13 , 4M112FA07 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD30

引用特許：

審査官引用 (11件)

加速度計
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-134808 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平3-023676
半導体加速度センサとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-165594 出願人：セイコー電子工業株式会社

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