特許

J-GLOBAL ID：200903057879019661

半導体装置およびその製造方法

発明者： 金子 義之 ,  藤岡 靖秀 ,  渡部 浩三 ,  笠間 靖裕
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立計測エンジニアリング株式会社 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045686
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜を必要以上に厚くすることなく、耐湿性および信頼性を向上させる。【構成】 複数の配線パターン1、配線パターン2、配線パターン4、配線パターン5の間を配線パターン3を引き回す場合、配線パターン3の屈曲部に、幅寸法が大きくされた拡幅部3aを形成することによって、複数の配線パターン1,2,3,4,5の輪郭間の間隙寸法がいずれもd0の値にほぼ一様になるようにして、上部に形成される絶縁膜に外部に連通するボイドが発生し耐湿性の低下の原因となる特異領域Zを解消した半導体装置である。

請求項（抜粋）：

複数の配線パターンを絶縁膜で覆った構造を有する半導体装置であって、隣り合う前記配線パターンの輪郭の間隙寸法がほぼ一様になるように、前記配線パターンの一部を拡幅してなることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180941   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-086146
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-322236   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-086146