固体電解コンデンサの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330201
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148328
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】導電性高分子層形成の後に誘電体皮膜を再化成する過程を備える固体電解コンデンサの製造方法において、上記再化成によって等価直列抵抗が悪化しないようにする。【解決手段】弁作用金属の多孔質体の表面にその弁作用金属の酸化皮膜を形成する過程と、弁作用金属の酸化皮膜上に導電性高分子層を形成する過程と、再化成を行う過程と、導電性高分子層の上に陰極導体層を形成する過程と、陽極側及び陰極側の外部端子を取り付け、外装を施す過程とを少なくとも備える固体電解コンデンサの製造方法において、導電性高分子層を形成する過程と再化成する過程との間に、導電性高分子層に含まれる水分を乾燥させる過程を設け、導電性高分子がこれに含まれる水分と過酸化反応を起こして過剰に絶縁物化することを抑制する。

請求項（抜粋）：

弁作用金属の多孔質体の表面にその弁作用金属の酸化皮膜を形成する過程と、前記弁作用金属の酸化皮膜上に導電性高分子層を形成する過程と、再化成を行う過程と、前記導電性高分子層の上に陰極導体層を形成する過程と、陽極側及び陰極側の外部端子を取り付け、外装を施す過程とを少なくとも備える固体電解コンデンサの製造方法において、前記導電性高分子層を形成する過程と前記再化成する過程との間に、前記導電性高分子層に含まれる水分を乾燥させる過程を設けたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 9/028 , H01G 9/04 307 , H01G 9/008 , H01G 9/00

FI (4件)：

H01G 9/04 307 , H01G 9/02 331 H , H01G 9/04 349 , H01G 9/24 C

引用特許：

審査官引用 (17件)

固体電解コンデンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-120314 出願人：富士通東和エレクトロン株式会社
固体電解コンデンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-357087 出願人：日本ケミコン株式会社
固体電解コンデンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123137 出願人：富士通東和エレクトロン株式会社

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