特許
J-GLOBAL ID:200903057897905210
フォトレジスト組成物及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
小野 由己男
, 稲積 朋子
, 堀川 かおり
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-224979
公開番号(公開出願番号):特開2007-058216
出願日: 2006年08月22日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】フォトレジスト組成物及び前記フォトレジスト組成物を用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト組成物はフェノール系重合体を含むバインダ樹脂10〜70重量%、光酸発生剤0.5〜10重量%、架橋結合剤1〜20重量%、染料0.1〜5重量%及び溶媒10〜80重量%を含む。前記フォトレジスト組成物は4枚マスクを用いた薄膜トランジスタ基板の製造工程に適用される。前記フォトレジスト組成物は薄膜トランジスタ基板の製造工程の際フォトレジスト層を形成し前記フォトレジスト層はスリット露光によって安定的にハーフトーンを実現することができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
フェノール系重合体を含むバインダ樹脂10〜70重量%と、
光酸発生剤0.5〜10重量%と、
架橋結合剤1〜20重量%と、
染料0.1〜5重量%と、
溶媒10〜80重量%とを含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/023
, G03F 7/004
, G03F 7/11
, H01L 21/027
, H01L 21/336
, H01L 29/786
FI (8件):
G03F7/023 511
, G03F7/004 501
, G03F7/004 505
, G03F7/004 503A
, G03F7/11 503
, H01L21/30 502R
, H01L29/78 627C
, H01L29/78 616K
Fターム (36件):
2H025AA04
, 2H025AA10
, 2H025AB17
, 2H025AC03
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025CC03
, 2H025CC04
, 2H025CC06
, 2H025CC13
, 2H025CC17
, 2H025CC20
, 2H025DA40
, 2H025FA03
, 2H025FA39
, 2H025FA47
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG22
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HL02
, 5F110NN02
, 5F110QQ02
引用特許: