特許
J-GLOBAL ID：200903057915170398
面発光型発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177300
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026815
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 発光強度分布が比較的均一な面発光型発光ダイオードをできるだけ安価に提供する。【解決手段】 厚さが1μm程度でキャリア濃度が1×1016程度のp-Al0.1Ga0.9As単結晶から成る高抵抗層22を、第2クラッド層20と狭窄電流通電層24との間に設け、その高抵抗層22で電流が堰止められることにより、ブロック層(電流狭窄部)26で定められた通電領域44内で電流を分散させ、活性層18から放出されて光取出し面38から取り出される光の強度分布を均一化する。
請求項（抜粋）：
基板上に発光層を含む複数の半導体層が積層されているとともに、該積層された半導体層の上面に設けられた環状の第1電極と、該第1電極の内側に設けられた光取出し面と、前記基板の裏面に設けられた第2電極とを有し、前記第1電極と第2電極との間に通電されることにより前記発光層から面垂直方向へ放出された光が前記光取出し面から発せられる面発光型発光ダイオードにおいて、他の半導体層よりもキャリア濃度が低い高抵抗層を設けたことを特徴とする面発光型発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 A
