半導体力学量センサの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220139
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】電気化学エッチングを用いて半導体力学量センサを製造する場合に、エッチング用の電圧を印加するために必要とされるチップ内の配線領域を小さくする。【解決手段】ウェハ20のチップ領域にパッド5〜7を形成するとともに、パッド5〜7と接続されかつウェハ20のスクライブライン領域に沿って配設されるエッチング用配線21、22を形成し、エッチング用配線21、22からパッド5〜7を介してエッチング用の電圧を印加しつつ、電気化学エッチングを行って、半導体力学量センサの可動部、例えば加速度センサの梁構造体を形成し、この後、スクライブライン領域をカットしてチップ化する。

請求項（抜粋）：

P型の半導体基板(11、221)上にN型の半導体層(12、222)を有するウェハ(20、200)を用意する工程と、前記ウェハ(20、200)のチップ領域に前記半導体層(12、222)と電気接続されるパッド(5〜7、207〜214)を形成するとともに、このパッド(5〜7、207〜214)と接続されかつ前記ウェハ(20、200)のスクライブライン領域に沿って配設されるエッチング用配線(21、22)を形成する工程と、前記エッチング用配線(21、22)から前記パッド(5〜7、207〜214)を介して前記半導体層(12、222)にエッチング用の電圧を印加し、前記半導体基板(11、221)を電気化学エッチングして、可動部(2、202)を形成する工程と、この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ化する工程とを有することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/84 , G01P 15/125

FI (2件)：

H01L 29/84 Z , G01P 15/125

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-094667 出願人：日本電装株式会社
特開昭61-030039
マイクロメカニカル構成素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-223501 出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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