特許

J-GLOBAL ID：200903057927727371

半導体記憶装置及び携帯電子機器

発明者： 吉岡 史善 ,  柴田 晃秀 ,  岩田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139290
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342927
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】集積度が増大し、動作速度が高速化した半導体記憶装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、該チャネル領域の両側に配置され、該チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、該ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とを備え、該拡散領域は、ゲート電極とはオフセットして配置される高濃度不純物領域と、該高濃度拡散領域と接し、かつゲート電極とオーバーラップして配置される低濃度不純物領域とを有し、前記メモリ機能体に保持された電荷の多寡により、ゲート電極に電圧を印加した際の一方の拡散領域から他方の拡散領域に流れる電流量を変化させるように構成されてなることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。【選択図】 図20

請求項（抜粋）：

半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 該ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、 該チャネル領域の両側に配置され、該チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、 該ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とを備え、 該拡散領域は、 ゲート電極とはオフセットして配置される高濃度不純物領域と、 該高濃度拡散領域と接し、かつゲート電極とオーバーラップして配置される低濃度不純物領域とを有し、 前記メモリ機能体に保持された電荷の多寡により、ゲート電極に電圧を印加した際の一方の拡散領域から他方の拡散領域に流れる電流量を変化させるように構成されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (28件)：

5F083EP17 ,  5F083EP25 ,  5F083EP26 ,  5F083EP43 ,  5F083EP48 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB04 ,  5F101BC08 ,  5F101BC11 ,  5F101BD05 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-204770
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330333   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-320036
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-254782   出願人：株式会社東芝