不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275086
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】フラッシュメモリにおいて、アドレス入力ピン20と/WEピン21を使用してブロック消去の指定を行なう。【構成】ライトイネーブル入力ピン(/WE)21から入力されたパルス数と、アドレス入力ピン20より入力されたブロックアドレスとに基づいて消去ブロックの選択を行なう消去ブロック制御回路22を備えている。【効果】ブロック消去の範囲の指定が容易にできる。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み消去可能な複数のメモリセルと、所定のアドレス入力ピンから消去開始ブロックを入力し、ライトイネーブル入力ピンから前記消去開始ブロックから何ブロック消去するかを入力して所定範囲のブロックを消去する消去ブロック制御手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281193 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-057426 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス

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