特許
J-GLOBAL ID：200903057943672960

ダイボンディング用接着フィルム及び半導体装置の製造方法

発明者：
藤井 真二郎

藤井 真二郎 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185563
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 フィルム材料のロスが少なく、位置ずれの問題もなく、均一な膜厚の接着剤層を設けることができ、かつ、簡単な装置でダイボンディングできる耐半田リフロー性に優れたダイボンディング用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基材フィルム層と、該基材フィルム層上に断続的に形成された半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きくかつ長方形のパターン形状を有する複数の接着剤層とを有してなるダイボンディング用接着フィルム。多数の半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面に、上記のダイボンディング用接着フィルムの接着剤層を熱圧着して接着剤層付きウエハを得、この接着剤層付きウエハの接着剤層面にダイシングテープを貼付した後、接着剤層付きの個別半導体素子に分割切断し、次いで、前記ダイシングテープを剥離して得られる接着剤層付き半導体素子を支持部材にダイボンディングする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基材フィルム層と、該基材フィルム層上に断続的に形成された半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きくかつ長方形のパターン形状を有する複数の接着剤層とを有してなるダイボンディング用接着フィルム。
IPC (2件)：
H01L 21/52 ,  C09J 7/02
FI (2件)：
H01L 21/52 E ,  C09J 7/02
Fターム (19件)：
4J004AA02 ,  4J004AA11 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA18 ,  4J004AB05 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC02 ,  4J004CE03 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  5F047BA21 ,  5F047BA34 ,  5F047BA39 ,  5F047BB03 ,  5F047BB18 ,  5F047BB19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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