特許
J-GLOBAL ID：200903057945562614
ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260843
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072595
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：
【要約】【課題】 高ボロンドープシリコンウエーハであって、酸素濃度が低くてもゲッタリング能力が高い高ボロンドープシリコンウエーハ及び該ウエーハを基板ウエーハに用いて成長されたエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】 抵抗率が10mΩ・cm以上100mΩ・cm以下のボロンドープシリコンウエーハであって、該ボロンドープシリコンウエーハは、チョクラルスキー法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得られたものであることを特徴とするボロンドープシリコンウエーハ。および該ウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエーハ。およびそれらを製造する方法。
請求項（抜粋）：
抵抗率が10mΩ・cm以上100mΩ・cm以下のボロンドープシリコン単結晶ウエーハであって、該ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ中の酸素濃度が16ppma以下であり、且つ析出熱処理後の酸素析出物または酸化誘起積層欠陥密度が1×109 個/cm3 以上であることを特徴とするボロンドープシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/04
, H01L 21/20
C30B 29/06 502 Z
, C30B 15/04
, H01L 21/20
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EB01
, 4G077EB04
, 4G077EH05
, 4G077FE11
, 4G077FJ06
, 4G077GA07
, 4G077HA12
, 5F052EA15
, 5F052HA07
, 5F052KA05
