特許

J-GLOBAL ID：200903057949692156

半導体製造用チャンバ構成部材

発明者： 伊東 裕見子 ,  中原 正博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044179
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】耐プラズマ性に優れ、熱伝導性に優れる半導体製造用チャンバ構成部材を提供する。【解決手段】アルミナ、AlNのうち少なくとも1種を主成分とするセラミックマトリックス中に、結晶質の希土類元素含有化合物が10〜60体積%の比率で分散してなる熱伝導率20W/mK以上のセラミックスで形成する。前記希土類元素含有化合物は、希土類元素-アルミナ複合酸化物、希土類元素酸化物と前記マトリックス成分との結晶質化合物の群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とし、さらにセラミックスの気孔率は0.2%以下、前記セラミックマトリックスは単体で30W/mK以上の熱伝導率を有することが望ましい。

請求項（抜粋）：

アルミナ、AlNのうち少なくとも1種を主成分とするセラミックマトリックス中に、結晶質の希土類元素含有化合物が、10〜60体積%の比率で分散してなる熱伝導率20W/mK以上のセラミックスからなることを特徴とする半導体製造用チャンバ構成部材。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/44 ,  C04B 35/581

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C04B 35/10 Z ,  C04B 35/44 ,  C04B 35/58 104 D

Fターム (46件)：

4G001BA03 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA11 ,  4G001BA36 ,  4G001BB03 ,  4G001BB09 ,  4G001BB11 ,  4G001BB36 ,  4G001BD01 ,  4G001BD38 ,  4G001BE33 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA14 ,  4G030AA36 ,  4G030AA51 ,  4G030BA21 ,  4G030BA33 ,  4G030GA05 ,  4G030GA14 ,  4G030GA17 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA29 ,  4G031AA38 ,  4G031BA21 ,  4G031BA26 ,  4G031CA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 耐プラズマ部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080657   出願人：京セラ株式会社
• 特開平3-257071
  
• 特開平3-257071
  
• 耐食性部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-201566   出願人：京セラ株式会社