特許

J-GLOBAL ID：200903057954143454

静電チャックの製造方法

発明者： 青沼 伸一朗 ,  村松 滋子 ,  佐野 孝司 ,  藤田 光広
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039188
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243818
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 基板の反りを防止して均一な静電吸着力を得つつ、所望厚みの誘電層を短時間で容易に得ることが可能な静電チャックの製造方法を提供する。【解決手段】 液相焼結による窒化アルミニウム焼結体からなる基板1の片面に電極形成用高融点金属ペースト6を塗布して乾燥すると共に、その残余の片面に低温焼結助剤を添加した誘電層形成用窒化アルミニウムペースト7を高融点金属ペースト同等の厚みで塗布して乾燥した後、それらの上に上記窒化アルミニウムペーストと同様のペースト8を塗布して乾燥し、しかる後に、1500〜1800°Cの温度で焼成する。

請求項（抜粋）：

液相焼結による窒化アルミニウム焼結体からなる基板の片面に電極形成用高融点金属ペーストを塗布して乾燥すると共に、その残余の片面に低温焼結助剤を添加した誘電層形成用窒化アルミニウムペーストを高融点金属ペーストと同等の厚みで塗布して乾燥した後、それらの上に上記窒化アルミニウムペーストと同様のペーストを塗布して乾燥し、しかる後に、1500〜1800°Cの温度で焼成することを特徴とする静電チャックの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  C04B 35/581 ,  H02N 13/00

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D ,  C04B 35/58 104 Y

Fターム (16件)：

4G001BA01 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB01 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC41 ,  4G001BC52 ,  4G001BC72 ,  4G001BD23 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造用サセプタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-227459   出願人：京セラ株式会社
• 高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067689   出願人：株式会社東芝