データ記憶・処理装置、及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-552664
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517896
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】ROM及び/又はWORM及び/又はREWRITABLEメモリモジュール及び/又は演算モジュールを基板上に備えたデータ記憶・演算装置である。メモリ及び/又は演算モジュールは、単一メイン層又は多重メイン層として、基板上に配置される。本装置は、装置の動作のために、トランジスタ及び/又はダイオードの形でのアクティブ構成要素を備える。実施の形態の1つの集合において、装置の動作のための少なくともいくつかの最大ではすべてのトランジスタ及び/又はダイオードは、基板の上部又は内部に配置される。実施の形態の他の集合において、基盤上の少なくともいくつかの、そして最大では全部の層が、低温で可能な有機材料及び/又は低温で処理された無機膜を備え、トランジスタ及び/又はダイオードが基板の上部又は内部に配置されている必要がない。この種のデータ記憶・演算装置を製造する方法において、メモリ及び/又は演算モジュールは、層を順次蒸着することによって、基板上に備えられる。層の蒸着及び処理は、すでに蒸着されて処理された下にある単数又は複数の層、特に有機材料を、安定のための限界を超える過度な静的又は動的温度に晒さないような熱的条件下で行われる。

請求項（抜粋）：

ROM及び/又はWORM及び/又はREWRITABLEメモリモジュール及び/又は演算モジュールを基板上に備えたデータ記憶・演算装置であって、メモリ及び/又は演算モジュールは、単一メイン層又は多重メイン層として、基板上に配置され、メモリモジュール及び/又は演算モジュールの各層は、機能サブ層を備え、各メイン層内のメモリモジュール及び/又は演算モジュールは、ビア、表面又は端部接続を介して、他のメイン層及び基板の上部又は内部に配置された回路と通信し、前記装置は、装置の動作のために、トランジスタ及び/又はダイオードの形でのアクティブ構成要素を備え、装置の動作のための少なくともいくつかの最大ではすべてのトランジスタ及び/又はダイオードは、基板の上部又は内部に配置されることを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 27/00 301 , G11C 17/00 , H01L 27/10 495

FI (3件)：

H01L 27/00 301 A , G11C 17/00 A , H01L 27/10 495

Fターム (25件)：

5B003AA01 , 5B003AB01 , 5B003AC01 , 5B003AC02 , 5B003AC04 , 5B003AC08 , 5B003AD01 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083CR04 , 5F083GA05 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA51 , 5F083JA60 , 5F083LA02 , 5F083PR40 , 5F083ZA10 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA30

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-198746 出願人：シャープ株式会社
特開平3-137896
特開昭62-181464

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