特許

J-GLOBAL ID：200903057987984870

半導体装置の製造方法

発明者： 板谷 秀治 ,  経田 昌幸 ,  佐野 敦 ,  大岡 司
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180250
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】 Ru(C2H5C5H4)2を熱CVD法により基板上に成膜した場合、基板周辺の部材にも該膜が堆積し、基板上のパーティクル形成の原因となり、製造歩留まりの低下を招いていた。そこで反応室内をクリーニングする必要があるが従来のクリーニング工程はクリーニング時間が長いので製造効率が悪く、また製造コストが増大していた。【解決手段】 反応室4内で基板1上にRuを含む膜を形成する成膜工程と、反応室4内にClF3ガスを流し、成膜工程において反応室4内に付着した膜を熱化学反応により除去するクリーニング工程とを有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

反応室内で基板上にRuを含む膜を形成する成膜工程と、前記反応室内にClF3ガスを流し、前記成膜工程において反応室内に付着した前記膜を熱化学反応により除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (40件)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4M104BB04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD99 ,  4M104EE08 ,  4M104EE16 ,  4M104FF07 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH33 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR03 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX02 ,  5F033XX34 ,  5F083AD24 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エッチング方法,化学気相成長装置,化学気相成長装置のクリ-ニング方法,及び化学気相成長装置用の石英部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-298271   出願人：株式会社東芝
• 半導体製造装置のクリ-ニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-289941   出願人：株式会社日立製作所
• 成膜装置及び成膜方法並びに成膜装置の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036425   出願人：東京エレクトロン株式会社
• クリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-186942   出願人：東京エレクトロン株式会社