窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124154
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307193
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】基板表面に形成されたストライプ状の溝部、若しくは基板と活性層との間に形成されたストライプ状の突起部の位置に対応して、活性層の導波路が形成されていることにより、レーザの横モードが活性層の側面にあるクラッド層で制御されるために、屈折率導波型のレーザ素子となり、閾値が下がる。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成されたストライプ状の溝部の位置に対応して、活性層の導波路が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-232481
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038159 出願人：株式会社東芝
特開平2-219090

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