特許
J-GLOBAL ID:200903058049558752
有機電界発光表示装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-128655
公開番号(公開出願番号):特開2008-310312
出願日: 2008年05月15日
公開日(公表日): 2008年12月25日
要約:
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比のTFTを備えた有機EL表示装置を提供することにある。【解決手段】少なくとも駆動TFT、および該駆動TFTと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素がパターニング形成された有機電界発光表示装置であり、前記駆動TFTは、少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体層が少なくとも抵抗層と該抵抗層より電気伝導度が高い活性層とを有し、該活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、該活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に該抵抗層が電気的に接続して配されている駆動TFTであり、且つ前記画素の少なくとも発光層がインクジェット法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機電界発光表示装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも駆動TFT、および該駆動TFTと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素がパターニング形成された有機電界発光表示装置であり、前記駆動TFTは、少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体層が少なくとも抵抗層と該抵抗層より電気伝導度が高い活性層とを有し、該活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、該活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に該抵抗層が電気的に接続して配されている駆動TFTであり、且つ前記画素の少なくとも発光層がインクジェット法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (5件):
G09F 9/30
, H01L 27/32
, H01L 29/786
, H01L 51/50
, H05B 33/10
FI (6件):
G09F9/30 365Z
, H01L29/78 618E
, G09F9/30 338
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H01L29/78 618B
Fターム (84件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC31
, 3K107CC35
, 3K107CC43
, 3K107DD17
, 3K107EE04
, 3K107FF04
, 3K107FF15
, 3K107GG08
, 3K107HH05
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094FB14
, 5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD18
, 5F110DD19
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE12
, 5F110EE38
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF06
, 5F110FF28
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG15
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG51
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK18
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HK35
, 5F110HL04
, 5F110HL23
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
引用特許:
前のページに戻る