発光装置及び表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325367
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186319
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1及び第2の電極間に介在する発光層、及び電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満の非晶質酸化物、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物、又はノーマリーオフを実現し得る透明な非晶質酸化物半導体である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

発光装置であって、第1及び第2の電極と、該第1及び第2の電極間に介在する発光層と、を有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満の非晶質酸化物であることを特徴とする発光装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , G09F 9/30 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H01L 27/32 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

FI (8件)：

H01L29/78 618B , G09F9/30 338 , H05B33/10 , H05B33/14 A , G09F9/30 365Z , B41J3/21 L , H01L29/78 618F , H01L29/78 616V

Fターム (53件)：

2C162AH75 , 2C162FA04 , 2C162FA16 , 2C162FA23 , 3K007AB17 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 3K007GA04 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5C094HA10 , 5C094JA02 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-096983 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081483 出願人：富士ゼロックス株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086175 出願人：ミノルタ株式会社
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266012 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道

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引用文献：

審査官引用 (1件)

高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室温製膜とキャリア輸送特性

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