特許

J-GLOBAL ID：200903058054284377

半導体ウェハにおけるコンタクト、ビア及びトレンチの低熱費金属の充填及び平坦化のための方法と装置

発明者： ゼン スー ,  ジョン フォースター ,  ツェ-ヤン ヤウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162293
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 1以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール、又はトレンチに(アルミニウム合金及び類似融点を有する他の伝導性材料を含む)アルミニウムの電気コンタクトを造り込むことを目的とする。【解決手段】キャリア層は、好ましくは、スパッタ堆積材料束をイオン化し、その束(フラックス)を部分的にガスと反応させ、得られる材料を基板上に堆積することにより形成される層から成る。少なくとも5:1程度の大きさのアスペクト比を有するビア、スルーホール、及びトレンチに前述のコンタクトを形成でき、さらに約12:1までのアスペクト比を有するアパーチャの充填も可能となる。高アスペクト比の伝導性コンタクトの形成を可能にするばかりではなく、キャリア層は障壁層としても機能し、それによって電気コンタクトと協同して作用する周囲基板材料中へのアルミニウムのマイグレーションが防止される。

請求項（抜粋）：

電気コンタクトが内部に形成されるアパーチャのアスペクト比が1:1を越えることを特徴とする多層集積回路の電気コンタクトであって、キャリア層から成るアパーチャライニングと、前記キャリア層の上に堆積され且つ前記アパーチャを充填する為のリフローされるスパッタ導体と、を含むコンタクト。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• コリメートスパッタ法による成膜方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141594   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-255624
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163380   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-212734   出願人：松下電器産業株式会社