スピン伝送を切り換えるように構成された高スピン偏極層を有するMTJ素子、及び該磁気素子を用いたスピントロニクス・デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-549496
公開番号（公開出願番号）：特表2008-526046
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

磁気素子を提供する方法及びシステムが開示される。この方法及びシステムは、第1及び第2のピン層、フリー層、並びに第1及び第2の各ピン層とフリー層との間の第1及び第2のバリア層を提供する。第1のバリア層は、絶縁体である結晶性MgOで、第1のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成されることが好ましい。さらに、第1のバリア層は、フリー層又は第1のピン層のような別の層とのインタフェースを有する。このインタフェースは、少なくとも50パーセントの、好ましくは80パーセントを超える、高スピン偏極を提供する構造を有する。第2のバリア層は絶縁体で、第2のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成される。磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン伝送によりフリー層が切り換えられることを可能にするように構成される。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、該磁気素子が、第1のピン層と、第1のバリア層であって、該第1のバリア層が絶縁体で、該第1のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成され、該第1のバリア層が別の層とのインタフェースを有し、該インタフェースが、少なくとも50パーセントの高スピン偏極を提供する構造を有する、第1のバリア層と、フリー層であって、該第1のバリア層が該第1のピン層と該フリー層との間にある、フリー層と、第2のバリア層であって、該フリー層が該第1のバリア層と該第2のバリア層との間にあり、該第2のバリア層が絶縁体で、該第2のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成される、第2のバリア層と、第2のピン層であって、該第2のバリア層が該フリー層と該第2のピン層との間にある、第2のピン層とを含み、該磁気素子が、書き込み電流が該磁気素子を通過する時にスピン伝送により該フリー層が切り換えられることを可能にするように構成される、磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (4件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/12 , H01L43/08 M

Fターム (31件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 5F092AA01 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC46 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、磁気記録再生装置及び磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-083869 出願人：株式会社日立製作所
スピン伝送を切り換えるように構成された高スピン偏極層を有するMTJ素子、及び該磁気素子を用いたスピントロニクス・デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-549496 出願人：グランディスインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る