特許

J-GLOBAL ID：200903058076074678

誘電体コーティングの平坦化方法

発明者： キャスリン・ヘレン・ケルハー ,  マシアス・ペシュク ,  ヒロユキ・ヤノ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  株式会社東芝 ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097774
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 従来の技術と比較してより有効な平担化を達成する改善された化学機械的研磨方法を提供すること。【解決手段】 ウエハの基礎構造は凸部と凹部を有していることに特徴がある。ウエハは、まず凸部上に第1の研磨停止層を設け、それから少なくとも凹部上に誘電体層を堆積し、最後にその誘電体コーティング上に第2の研磨停止層を堆積することによって準備される。2工程CMPの第1の工程は第2の研磨停止層が凸部からほぼ取り除かれるまで第2の研磨停止層を侵すスラリーを使用して第2の研磨停止層を研磨する工程である。第2の工程は第1の研磨停止層がさらされるまで第2或は第1の研磨停止層を侵すよりも速い速度で誘電体層を侵すスラリーを使用して誘電体コーティングを研磨する工程である。

請求項（抜粋）：

集積回路ウエハの基礎構造の上に設けられた誘電コーティングを平坦化する方法において、前記基礎構造が凸部と凹部を有し、以下の工程を含む誘電体コーティングの平坦化方法。前記凸部に第1の研磨停止層を設ける工程と、堆積された誘電体層が基礎構造の段差の高さよりも小さいか或は等しい厚さを有するように、少なくとも前記凹部の上に誘電体層を堆積する工程と、堆積された誘電体コーティングの上に第2の研磨停止層を堆積する工程と、前記第2の研磨停止層が凸部上からほぼ取り除かれるまで前記第2の研磨止層を研磨する工程と、前記第2の研磨停止層が前記凹部を保護するように、前記第2或は第1の研磨停止層を侵すよりも速い速度で前記誘電体層を侵すスラリーを使用して、前記第1の研磨停止層がさらされるまで前記誘電体コーティングを研磨する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 選択平坦化ポリッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318904   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284118   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-251164