特許
J-GLOBAL ID：200903058087883659
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277253
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119449
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】半導体装置に不良を生じることなく、コンタクトホールが正常に形成されているか否かを判定できるようにする。【解決手段】まず、半導体ウエハ11の素子形成領域11aとは異なる非機能領域11bに検査用ホール形成領域10を区画し、検査用ホール形成領域10に、素子形成領域11aの層間絶縁膜と厚さ及び組成が同等の第1の絶縁膜12を形成する。次に、レジストパターン14を用いて第1の絶縁膜12にコンタクトホールと開口寸法が同等の孔部13を形成する。次に、走査型電子顕微鏡により第1の絶縁膜12を貫通していない未貫通孔部13Aが生じているか否かを検査する。未貫通孔部13Aが生じている場合にはコンタクトホールが正常に形成されていないと判定し、未貫通孔部13Aが生じていない場合にはコンタクトホールが正常に形成されていると判定する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上の素子形成領域に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上における前記素子形成領域と異なる領域に検査用ホール形成領域を区画し、該検査用ホール形成領域に前記層間絶縁膜とその組成及び厚さが同等のホール形成用絶縁膜を形成する第1の工程と、
前記ホール形成用絶縁膜に前記コンタクトホールとその開口寸法が同等の検査用ホールを形成する前記第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/90 Z
, H01L21/66 C
, H01L21/66 Y
4M106AA01
, 4M106AA07
, 4M106AB15
, 4M106AB17
, 4M106AB20
, 4M106BA02
, 4M106CA15
, 4M106DB05
, 5F033QQ37
, 5F033XX37
