特許
J-GLOBAL ID：200903058093529425

半導体装置の製造方法

発明者：
野田 泰史

野田 泰史 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086791
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながらチャネル拡散層の濃度を確実に高くできるようにし、且つ低しきい値電圧及び高濃度チャネルに起因するリーク電流の増大を抑制できるようにする。【解決手段】 半導体基板11のチャネル形成領域に、注入エネルギーが約70keVで注入ドーズ量が約1×1013/cm2 のインジウムイオンを複数回に分けてイオン注入する。各イオン注入の後には、半導体基板11を、約200°C/秒の昇温レートで且つ850°C〜1050°C程度にまで昇温し、ピーク温度を最大で10秒間程度保持する急速熱処理を行なう。このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板11の上部にP型チャネル拡散層12を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板におけるチャネル形成領域に、質量数が相対的に大きい重イオンからなる第1導電型の第1の不純物イオンを、前記チャネル形成領域がアモルファス化しない程度の注入ドーズ量で複数回に分けてイオン注入すると共に、各イオン注入後のそれぞれに第1の熱処理を行なうことにより、前記チャネル形成領域に該領域の結晶性を回復しながら第1導電型の第1の拡散層を形成する第1の工程と、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜の上にゲート電極を選択的に形成する第2の工程と、前記半導体基板に、前記ゲート電極をマスクとして第2導電型の第2の不純物イオンをイオン注入する第3の工程と、前記半導体基板に対して第2の熱処理を行なうことにより、前記第2の不純物イオンが拡散してなり、接合位置が相対的に浅い第2導電型の第2の拡散層を形成する第4の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 F
Fターム (23件)：
5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BF00 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH36 ,  5F140BH41 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22
引用特許：
出願人引用 (8件)
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