強誘電体キャパシタ及び半導体集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181083
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022090
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図る。【解決手段】上部電極14Aを形成するのに酸化膜マスク16Aを用い、上部電極14A形成後もこの酸化膜マスク16Aをそのまま残存させる。また、下部電極10A及び強誘電体膜12Aを形成するのに酸化膜マスク22A及びフォトレジストマスク24を用い、下部電極10A形成後もこの酸化膜マスク22Aをそのまま残存させる。これにより、下部電極10Aと上部電極14Aとが残さによりショートするのを防止し、強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

下部電極と、この下部電極上に形成された強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成され、かつ、この強誘電体膜よりも小さい面積の上部電極と、前記上部電極上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と前記上部電極とを覆うように、前記第1絶縁膜上と前記強誘電体膜上とに形成された第2絶縁膜と、を備えることを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (30件)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AD60 , 5F001AG09 , 5F001AG10 , 5F001AG29 , 5F001AG30 , 5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA27 , 5F083GA28 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR07 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-144273 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002835 出願人：松下電子工業株式会社

前のページに戻る