特許
J-GLOBAL ID:200903058115994747

有機半導体素子用陽極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-336928
公開番号(公開出願番号):特開2004-171951
出願日: 2002年11月20日
公開日(公表日): 2004年06月17日
要約:
【課題】製造プロセスにおいて生じる有機半導体素子特性のバラツキを低減し、かつ当該素子を高温条件下で使用する場合であっても素子特性に経時変化の少ない安定した有機半導体素子用陽極を提供する。【解決手段】陽極と有機層と陰極とからなるトップエミッション型の有機半導体素子に使用される陽極であって、導電性電極層と酸化防止電極層と正孔注入金属酸化物層とがこの順で形成されてなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
陽極と有機層と陰極とからなるトップエミッション型の有機半導体素子に使用される陽極であって、導電性電極層と酸化防止電極層と正孔注入金属酸化物層とがこの順で形成されてなることを特徴とする、有機半導体素子用陽極。
IPC (3件):
H05B33/26 ,  H01L21/28 ,  H05B33/14
FI (3件):
H05B33/26 Z ,  H01L21/28 301B ,  H05B33/14 A
Fターム (24件):
3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007AB14 ,  3K007AB17 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB29 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20
引用特許:
審査官引用 (3件)

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