特許
J-GLOBAL ID：200903058134193992

熱対策銅張り板

発明者：
山本 智彦

山本 智彦 について

, 
阿武 俊彦

阿武 俊彦 について


出願人/特許権者：
宇部興産株式会社

宇部興産株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295805
公開番号（公開出願番号）：特開2003-071982
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】 比較的緩和な条件で金属箔と積層でき、接着条件を幅広く選択でき、高温の使用にも耐え得て、しかも熱伝導性の良好な銅張り板を提供する。【解決手段】 低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の両面に3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基と2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基とが20:80〜90:10、のモル比であり、ピロメリット酸二無水物残基が0〜30モル%である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、1、3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンを必須成分としてp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルとの芳香族ジアミン残基からなる薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されてなる多層ポリイミドフィルムの片面に銅箔が、他の面に熱伝達性の良好な金属板またはセラミック板が積層されてなる熱対策銅張り板。
請求項（抜粋）：
低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の両面に下記式【化1】[式中、Ar1は3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基と2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基とが20:80〜90:10のモル比であり、ピロメリット酸二無水物残基が0〜30モル%である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、Ar2は1、3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンを必須成分としてp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルとが0:100〜100:0のモル比である芳香族ジアミン残基である。]で示されるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されてなり、該薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210°Cから310°Cの範囲内で所望の値となるようにp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルムの片面に銅箔が、他の面に熱伝達性の良好な金属板またはセラミック板が積層されてなる熱対策銅張り板。
IPC (2件)：
B32B 15/08 ,  C08G 73/10
FI (3件)：
B32B 15/08 J ,  B32B 15/08 R ,  C08G 73/10
Fターム (41件)：
4F100AA36E ,  4F100AB01E ,  4F100AB17D ,  4F100AB33D ,  4F100AD00E ,  4F100AD04E ,  4F100AK49A ,  4F100AK49B ,  4F100AK49C ,  4F100AK49K ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10D ,  4F100BA10E ,  4F100BA13 ,  4F100EJ64E ,  4F100GB43 ,  4F100JA02A ,  4F100JA05B ,  4F100JA05C ,  4F100JJ01E ,  4F100JJ03 ,  4F100JK06 ,  4F100JL00 ,  4F100JL02 ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4J043PA05 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB03 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UB121 ,  4J043UB402 ,  4J043ZB50
引用特許：
審査官引用 (4件)
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