半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-284496
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119899
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】誘電率が高く、界面準位や固定電荷が低減され、表面に高誘電体膜を形成する際の膜厚増加が抑制されるシリコン酸窒化膜を形成すること。【解決手段】窒素ラジカルを用いたシリコン酸化膜の窒化工程において、窒化雰囲気中の基板温度Tを、酸化膜中における窒素ラジカルの拡散係数D、酸化膜の膜厚Tox、窒化時間t、拡散係数の前指数因子D0、拡散係数の活性化エネルギーΔE、および気体定数Rに対し、D≦Tox2/tを満たすD = D0×exp(-ΔE/RT)を与える温度とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜の形成工程において、シリコン基板上にSiとOを主成分とする、膜厚2nm以下のベース絶縁膜を形成する工程と、前記ベース絶縁膜を以下の式(f1)を満たす条件下で、窒素ラジカルを主成分とする窒化源ガス中に曝露し、シリコン酸窒化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 D≦Tox2/t ・・・(f1) D = D0×exp(-ΔE/RT) ・・・(f2) ここで、 Dは、前記ベース絶縁膜中における窒素ラジカルの拡散係数、 D0は、前記拡散係数の前指数因子、 Toxは、前記ベース絶縁膜の膜厚、 ΔE は、拡散係数の活性化エネルギー、 Rは、気体定数、 Tは、基板温度、 tは、曝露時間。

IPC (2件)：

H01L21/318 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/318 C , H01L21/318 M , H01L29/78 301G

Fターム (40件)：

5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF07 , 5F058BF14 , 5F058BF74 , 5F058BH03 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD15 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ23 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-247966 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-363624 出願人：日本電気株式会社

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