特許
J-GLOBAL ID：200903090043387655

半導体装置の製造方法

発明者：
渡部 宏治

渡部 宏治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163213
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【目的】 膜厚が1.0nm以下という極薄絶縁膜の製造において、膜厚の制御が容易で、かつ、膜中の窒素位置を制御可能な絶縁体膜の製造方法、ならびに、量産化ラインにおいて使用し得る、極薄絶縁体膜中の窒素濃度を簡便にモニタリングする技術を提供することである。【構成】 Arガスボンベ44からプラズマ励起部8にArガスを導入して非反応性プラズマを形成した後、酸素ガスボンベ24から酸素ガスを添加して酸素ラジカルを形成し基板7a上に酸化膜を形成する。この時、総ガス流量に対する酸素ガス流量の比率及び圧力を調整することによって、酸化が緩やかに行われるようにする。次に、窒素ガスをプラズマ化して、酸化膜の一部を窒化する。その際窒素プラズマ中の窒素イオン成分と窒素ラジカル成分との比率を制御して、酸化膜表面近傍のみを高濃度に窒化する。
請求項（抜粋）：
プラズマ励起手段にガスを供給してプラズマ化し、該プラズマを基板上に供給し、プラズマ中に生成された基板と反応する活性種と基板とを反応させることによって前記基板表面に絶縁体膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法において、前記基板と反応する活性種を生成しないガスのみを前記プラズマ励起手段に供給して非反応性プラズマを形成してこれを前記基板上に供給し、その後に前記基板と反応する活性種を生成しないガスに加えて前記活性種を生成する原料ガスを前記プラズマ励起手段に供給し前記活性種を含む反応性プラズマを生成してこれを前記基板上に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/66 P ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (22件)：
4M106AA01 ,  4M106CB16 ,  4M106CB30 ,  4M106DH11 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140AA27 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE20
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM