特許
J-GLOBAL ID：200903058162446278

ホトマスクの製造方法、ホトマスクブランクスの製造方法およびホトマスクの再生方法

発明者：
田中 稔彦

田中 稔彦 について

, 
長谷川 昇雄

長谷川 昇雄 について

, 
寺澤 恒男

寺澤 恒男 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246506
公開番号（公開出願番号）：特開2002-062634
出願日： 2000年08月15日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ホトマスクを再利用する。【解決手段】 ホトマスクM1aに形成されたレジスト膜からなる遮光パターン3aを剥離した後、そのホトマスクM1aにレジスト膜からなる新たな遮光パターンを形成することでホトマスクを再生する。また、周辺領域にメタルからなる遮光パターンが形成されたマスクの集積回路パターン領域に形成されたレジスト膜からなる遮光パターンを剥離した後、再度、その周辺領域にメタルからなる遮光パターンが形成されたマスクの集積回路パターン領域にレジスト膜からなる新たな遮光パターンを形成することでマスクを再生するものである。
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とするホトマスクの製造方法;(a)マスク基板上にレジスト膜からなる第1の遮光部をパターン形成する工程、(b)前記レジスト膜からなる第1の遮光部を剥離する工程、(c)前記レジスト膜からなる第1の遮光部を剥離した後のマスク基板上にレジスト膜からなる第2の遮光部をパターン形成する工程。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 L ,  G03F 1/08 M ,  G03F 1/08 Z ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (10件)：
2H095BA01 ,  2H095BB25 ,  2H095BB27 ,  2H095BB29 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC11 ,  2H095BC19 ,  2H095BE07 ,  2H095BE10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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