特許
J-GLOBAL ID:200903058165978173

高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-233861
公開番号(公開出願番号):特開2003-045826
出願日: 2001年08月01日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 誘電体基板を賽の目状に切断する際の切断面を直角に切断可能な高周波部品の製造方法及び高周波部品チップを得る。【解決手段】 誘電体基板1の裏面11に第1のダイシング溝10を形成するプロセスと、第1のダイシング溝10をマーカーとして誘電体基板1の表面12に第2のダイシング溝用マーカーと高周波部品を形成するプロセスと、第2のダイシング溝用マーカーに沿って第1のダイシング溝10より狭く、第1のダイシング溝10に達する第2のダイシング溝19を形成するプロセスとから成る。
請求項(抜粋):
誘電体基板をダイシングして複数のチップ基板に分割して高周波部品を得るように成した高周波部品の製造方法であって、上記誘電体基板の裏面に第1のダイシング溝を形成するプロセスと、上記誘電体基板の上記第1のダイシング溝をマーカとして該誘電体基板の表面に第2のダイシング溝用マーカと高周波部品を形成するプロセスと、上記第2のダイシング溝用マーカに沿って上記第1のダイシング溝より狭く、該第1のダイシング溝に達する第2のダイシング溝を形成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/301 ,  H01L 23/12 301
FI (4件):
H01L 23/12 301 C ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 Q
引用特許:
審査官引用 (3件)

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