特許
J-GLOBAL ID：200903077137770820

半導体チップ用キャリア,半導体モジュール,半導体チップ用キャリアの製造方法,および半導体モジュールの製造方法

発明者：
加藤 隆幸

加藤 隆幸 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233595
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074416
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 ミリ波帯においても、モジュール性能の低下を招かず、かつ個別チップの高周波特性を容易に把握でき、しかも、小型化,高性能化を容易に達成できるフリップチップMMICチップ用キャリアおよびその製造方法を得ること。【解決手段】 誘電体ボディ10の主面上にRF信号用導体パターン11a,接地用導体パターン11b,DC用導体パターン11cを形成してコプレーナライン構造を有するフリップチップMMICチップ用キャリアを構成し、このキャリア上に、フリップチップMMICチップを搭載するようにした。
請求項（抜粋）：
誘電体により形成された基板と、該誘電体基板の主面における,フリップチップ方式により実装すべき半導体チップの入出力部に対応する部分に形成されたコプレーナライン状の導体パターンとを備え、該導体パターンが上記誘電体基板の半導体チップ対応部分から当該基板の周辺部分へと延在していることを特徴とする半導体チップ用キャリア。
IPC (3件)：
H01L 23/12 301 ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08
FI (3件)：
H01L 23/12 301 C ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08 C
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • 特開平4-283939
  • 特開平4-283939
  • 半導体装置及び高周波回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264519   出願人：松下電器産業株式会社
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