単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-291065
公開番号（公開出願番号）：特開2008-105906
出願日： 2006年10月26日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】オン/オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブFETの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの6員環構造中に5員環または7員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ11と金属的単層カーボンナノチューブ12とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。この単層カーボンナノチューブヘテロ接合をチャネルに用いて単層カーボンナノチューブFETを製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体的単層カーボンナノチューブと金属的単層カーボンナノチューブとがそれらの長手方向に互いに接合していることを特徴とする単層カーボンナノチューブヘテロ接合。

IPC (2件)：

C01B 31/02 , H01L 29/06

FI (2件)：

C01B31/02 101F , H01L29/06 601N

Fターム (29件)：

4G146AA12 , 4G146AA19 , 4G146AB06 , 4G146AB07 , 4G146AB08 , 4G146AC15B , 4G146AC16B , 4G146AD16 , 4G146AD17 , 4G146AD22 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC27 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146BC46 , 4G146BC48 , 4G146DA03 , 4G146DA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

集積回路装置及び集積回路装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135322 出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る