半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池田憲保 , 福田修一 , 佐々木敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088308
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277116
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】半導体装置は、パッケージに組み立てる前には、ウェハ状態で裏面研削をして所望の厚さにしているため、研削によってゲッタリング層は除去され、裏面研削などやパッケージ組立で導入される金属汚染に対してゲッタリング能力が無くなり、裏面研削以降に導入される金属汚染による特性劣化を防止することはできない。本願の課題は、これらの問題点を解決し、裏面研削、ダイシングおよびパッケージ組立における金属汚染による特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】裏面研削後にウェハ裏面に第1のゲッタリング層を形成し、チップの裏面及び側面に第2のゲッタリング層を形成することにより、裏面研削以降の組立フローにおける金属汚染に対する捕獲サイトとすることで、裏面研削およびパッケージ組立での金属汚染による特性劣化を防止できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

組立後のチップ裏面に不純物を導入させたゲッタリング層を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/322 , H01L21/304

FI (4件)：

H01L21/322 E , H01L21/322 G , H01L21/322 M , H01L21/304 631

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平01-067922号公報
特開昭58-097836号公報

審査官引用 (9件)

特開昭63-211635
特開昭57-097630
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-079923 出願人：ソニー株式会社

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