ウェーハ加工方法およびウェーハ加工装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 廣瀬繁樹 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403247
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166925
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】薄葉化ウェーハの電気的不良の発生を少なくしつつウェーハを加工する。【解決手段】表面29に複数の半導体素子10が形成されたウェーハ裏面21を研削し、研削作用により形成された研削面22を研磨し、プラズマ室31内における所定の気体雰囲気で研磨作用により形成された研磨面23に対するプラズマ処理を行って、研磨面に酸化膜25を形成するようにしたウェーハ加工方法、および研磨まで終了したウェーハについてプラズマ室内における第一の気体(CF4またはSF6)雰囲気で研磨作用により形成された研磨面22に対する第一のプラズマ処理を行って、研磨面22を洗浄するようにし、プラズマ室内における第二の気体(O2)雰囲気で洗浄後の研磨面23に対する第二のプラズマ処理を行って、研磨面23に酸化膜25を形成するようにしたウェーハ加工方法、ならびにこれら方法を実施するウェーハ加工装置が提供される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面に複数の半導体素子が形成されたウェーハ裏面を研削し、前記研削作用により形成された研削面を研磨し、プラズマ室内における所定の気体雰囲気下において前記研磨作用により形成された研磨面に対するプラズマ処理を行って、前記研磨面に酸化膜を形成するようにしたウェーハ加工方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/304 622P , H01L21/78 L

引用特許：

出願人引用 (16件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-151290 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-006159 出願人：キヤノン株式会社
特公平7-111965号公報

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