特許

J-GLOBAL ID：200903058214669300

EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク

発明者： 林 和幸 ,  門脇 一生 ,  杉山 享司 ,  三上 正樹
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036904
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311758
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】EUV光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。【解決手段】基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層とがこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル(Ta)、ホウ素(B)、ケイ素(Si)および窒素(N)を含有し、前記吸収体層において、Bの含有率が1at%以上5at%未満であり、Siの含有率が1〜25at%であり、TaとNとの組成比(Ta:N)が8:1〜1:1であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収体層が、タンタル(Ta)、ホウ素(B)、ケイ素(Si)および窒素(N)を含有し、 前記吸収体層において、Bの含有率が1at%以上5at%未満であり、Siの含有率が1〜25at%であり、TaとNとの組成比(Ta:N)が8:1〜1:1であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A

Fターム (4件)：

2H095BA10 ,  2H095BB25 ,  2H095BC14 ,  5F046GD01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105365   出願人：HOYA株式会社

審査官引用 (2件)

• 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105340   出願人：HOYA株式会社
• 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-314999   出願人：HOYA株式会社