特許

J-GLOBAL ID：200903028878300596

反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体の製造方法

発明者： 笑喜 勉
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-105365
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006799
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】パターン検査に用いられる検査光に対し十分なコントラストが得られ、正確且つ迅速なパターン検査を可能とする反射型マスク及びそれを製造するための反射型マスクブランクを提供する。【解決手段】基板1上に順に、露光光を反射する多層反射膜2、バッファ層3及び露光光を吸収する吸収体層4を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクであって、吸収体層4を、タンタルとホウ素及び、窒素又は酸素から選ばれる少なくとも1つの元素を含む材料で形成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜及び露光光を吸収する吸収体層を備えた反射型マスクブランクであって、前記吸収体層がタンタル(Ta)とホウ素(B)と窒素(N)とを含む材料からなり、TaとBとNの組成が、Bが5at%〜25at%であり、且つ、TaとNの組成比(Ta:N)が8:1〜2:7の範囲であることを特徴とする反射型マスクブランク。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F1/16

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  H01L21/30 517

Fターム (4件)：

2H095BA10 ,  2H095BC24 ,  5F046BA05 ,  5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 反射型露光マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-048654   出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
• X線マスクブランク及びその製造方法、並びにX線マスク及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-341058   出願人：ホーヤ株式会社
• 反射型X線マスク及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016698   出願人：株式会社ニコン
• 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-043720   出願人：沖電気工業株式会社