特許
J-GLOBAL ID:200903058232111678
酸化物超電導体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-164324
公開番号(公開出願番号):特開平10-092234
出願日: 1997年06月20日
公開日(公表日): 1998年04月10日
要約:
【要約】【課題】均一で高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】RE化合物(REはYを含む希土類元素)、Ba化合物及びCu化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してREーBaーCuー0系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体を粉砕して、上記原料の何れか1又は2以上の平均粒径を50〜100μmにする工程を有する酸化物超電導体の製造方法。
請求項(抜粋):
REBa2 Cu3 O7-X 相(REはYを含む1種又は2種以上の希土類元素)中にRE2 BaCuO5 相が微細に分散した酸化物超電導体において、10〜500μmの空孔が分散して存在していることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (6件):
H01B 12/00 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C04B 35/45 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
FI (6件):
H01B 12/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501 B
, H01B 13/00 565 D
, C04B 35/00 ZAA K
引用特許:
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