モノリシック集積半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566188
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526923
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】本発明はモノリシック集積半導体素子に関するものであり、このモノリシック半導体素子は、第1のキャリアドーピングの第1のキャリア領域(12)と、当該第1のキャリア領域内に相互に離して配置された、逆のキャリアドーピングを有する少なくとも2つの構造化された第2のキャリア領域(14)と、当該第2のキャリア領域内に構造化された、前記第1のキャリアドーピングを有する第3のキャリア領域(16)とを有しており、前記第2のキャリア領域(14)と前記第3のキャリア領域(16)との間のPN接合が、ボンディング部(20)を介して短絡しており(ソース端子)、前記第1のキャリア領域にはコンタクト(18)(ドレイン端子)が設けられており、前記第2のキャリア領域(14)は、ボンディング部(26)により、前記第1のキャリア領域(12)と前記第3のキャリア領域(16)との間の領域で反転可能であり、前記キャリア領域(12)及び前記キャリア領域(16)に並列に少なくとも1つのショットキーダイオードが接続されている。本発明の企図するところは、前記第1のキャリア領域(12)がさらに1つのボンディング部(28)を有し、当該ボンディング部が、前記第1の領域(12)の不純物濃度に応じて、より濃度の高い、表面付近の別のキャリア領域(32)と共に表面付近でドープされており、これによりオーム接触が生じ、前記少なくとも1つのショットキーダイオード(30)のアノード端子と接続されていることである。

請求項（抜粋）：

モノリシック集積半導体素子であって、第1のキャリアドーピングの第1のキャリア領域(12)と、当該第1のキャリア領域内に相互に離して配置された、逆のキャリアドーピングを有する少なくとも2つの構造化された第2のキャリア領域(14)と、当該第2のキャリア領域内に構造化された、前記第1のキャリアドーピングを有する第3のキャリア領域(16)とを有しており、前記第2のキャリア領域(14)と前記第3のキャリア領域(16)との間のPN接合が、ボンディング部(20)を介して短絡しており(ソース端子)、前記第1のキャリア領域にはコンタクト(18)(ドレイン端子)が設けられており、前記第2のキャリア領域(14)は、ボンディング部(26)により、前記第1のキャリア領域(12)と前記第3のキャリア領域(16)との間の領域で反転可能であり、前記キャリア領域(12)及び前記キャリア領域(16)に並列に接続された少なくとも1つのショットキーダイオード30を有する形式の半導体素子において、前記第1のキャリア領域(12)はさらに1つのボンディング部(28)を有しており、当該ボンディング部は、前記第1の領域(12)の不純物濃度に応じて、より濃度の高い、表面付近の別のキャリア領域(32)と共に表面付近でドープされており、これによりオーム接触が生じ、前記少なくとも1つのショットキーダイオード(30)のアノード端子と接続されている、ことを特徴とするモノリシック集積半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 657 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/06

FI (7件)：

H01L 29/78 652 J , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 657 A , H01L 27/06 102 A , H01L 29/78 658 A

Fターム (5件)：

5F048AC10 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD04 , 5F048BD07

引用特許：

審査官引用 (4件)

MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-089314 出願人：エス・オー・シー株式会社
シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーMOSFETスイッチ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-540909 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
特開平3-110867

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