特許
J-GLOBAL ID:200903058253477370

コンタクト構造および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-219727
公開番号(公開出願番号):特開2001-093598
出願日: 2000年07月19日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とFPCを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。【解決手段】 アクティブマトリクス基板上の接続配線183は端子部182において異方性導電膜195によって、FPC191に電気的に接続される。接続配線183はアクティブマトリクス基板上のTFTのソース/ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜140と透明導電膜141の積層膜でなる。異方性導電膜195との接続部分において、接続配線183の側面は絶縁材料でなる保護膜173に覆われている。よって、接続配線の金属膜の側面は保護膜174で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜141、下地の絶縁膜109、保護膜174に接して囲まれ、外気に触れることがない。
請求項(抜粋):
基板上の接続配線を異方性導電膜によって他の基板上の配線と電気的に接続するコンタクト構造であって、前記接続配線は金属膜と透明導電膜の積層膜でなり、前記異方性導電膜との接続部分において、前記金属膜の側面は保護膜に覆われていることを特徴とするコンタクト構造。
IPC (7件):
H01R 11/01 ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786
FI (7件):
H01R 11/01 B ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 348 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 612 C
引用特許:
審査官引用 (2件)

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