特許
J-GLOBAL ID：200903058279910730

窒化ケイ素焼結体およびそれからなるスパッタターゲット

発明者：
祖父江 昌久

祖父江 昌久 について

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今村 寿之

今村 寿之 について

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福沢 宏

福沢 宏 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117553
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313670
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 放電加工性に優れ、スパッタターゲットの洗浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質であるとともに、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させうる窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%、IVa族の窒化物を50〜90mol%添加し、その焼結体の常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、電気抵抗率が1×10-2Ω・cm以下、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上である窒化ケイ素焼結体。
請求項（抜粋）：
マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%、IVa族の窒化物を50〜90mol%添加し、その焼結体の常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、電気抵抗率が1×10-2Ω・cm以下、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/58 101 ,  C04B 35/58 ,  C23C 14/34
FI (3件)：
C04B 35/58 101 D ,  C04B 35/58 101 G ,  C23C 14/34 A
Fターム (26件)：
4G001BA06 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BA37 ,  4G001BA38 ,  4G001BA71 ,  4G001BB06 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BB37 ,  4G001BB38 ,  4G001BB71 ,  4G001BC13 ,  4G001BC42 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD22 ,  4G001BD36 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BC10 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC39
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 薄膜磁気ヘッド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042442   出願人：旭硝子株式会社
  • セラミックス材料
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042444   出願人：旭硝子株式会社
  • 特開平3-248861
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