特許

J-GLOBAL ID：200903058283215109

研磨方法および研磨装置

発明者： 佐藤 修三 ,  瀬川 雄司 ,  由尾 啓 ,  野上 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294974
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110592
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】被研磨膜下層の層間絶縁膜などへのダメージを抑制しながら、被研磨膜の表面に形成された凹凸を容易に平坦化でき、被研磨膜を効率よく平坦に研磨できる研磨装置および研磨方法を提供する。【解決手段】基板の絶縁膜に形成された配線用溝に埋め込まれて形成された配線用層などの被研磨膜を有している被研磨対象物Wを研磨するときに、少なくとも被研磨面に対して略平行に被研磨面上に処理液ELを流して(F)、処理液によるせん断応力により被研磨膜の凸部から優先的に研磨除去し、平坦化する。また、被研磨面に対して対向して陰極部材Eを配置し、被研磨膜と陰極部材Eに電圧を印加しながら、上記のように被研磨面と陰極部材Eの間にキレート剤などを含む電解液ELを流し(F)、電解液によるせん断応力により被研磨膜の凸部から優先的に研磨除去し、平坦化する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板に形成された絶縁膜と、該絶縁膜に形成された配線用溝と、該配線用溝の内部および外部に形成された被研磨膜である配線用層とを有している被研磨対象物の該被研磨膜を研磨する研磨方法であって、少なくとも上記被研磨面に対して略平行に上記被研磨面上に処理液を流して、該処理液によるせん断応力により、上記配線用溝の外部に形成された被研磨膜を該被研磨膜の凸部から優先的に研磨除去し、平坦化する研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B23H 5/08

FI (6件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 Z ,  B23H 5/08

Fターム (3件)：

3C059AA02 ,  3C059AB01 ,  3C059HA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238767   出願人：株式会社東芝, 多摩化学工業株式会社
• ワークピースを平坦化する方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064938   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝