特許
J-GLOBAL ID：200903058361597773
液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080483
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】本発明は、基板材料中の可動イオンによる劣化がなく、しかも開口率が高い液晶表示装置およびこの液晶表示装置を効率よく得ることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタをスイッチング素子として有し、前記薄膜トランジスタは、前記第1の基板上方に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート線と、前記第1の基板上方に形成された補助容量絶縁膜と、前記補助容量絶縁膜上に形成された補助容量線とを有しており、前記ゲート絶縁膜の厚さが前記補助容量絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタをスイッチング素子として有する第1の基板と、前記第1の基板の薄膜トランジスタ形成面に対向するように配置された第2の基板と、前記第1および第2の基板間に挟持された液晶材料とを具備する液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、前記第1の基板上方に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート線と、前記第1の基板上方に形成された補助容量絶縁膜と、前記補助容量絶縁膜上に形成された補助容量線とを有しており、前記ゲート絶縁膜の厚さが前記補助容量絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 617 S
