特許
J-GLOBAL ID：200903058370864539
半導体量子ドット及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097569
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289996
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体量子ドット及びその製造方法に関し、S-K型成長島からなる半導体量子ドットの配置を制御できるようにし、ダメージがない半導体量子ドットを均一サイズで均一な密度で生成させることを可能にして、量子ドットを複数個連結(配列)したデバイス、例えば単電子素子を実現できるようにする。【解決手段】 歪み系ヘテロ結晶(例えば下地のGaAsに対するInAs)を成長させる際の初期に生成されるS-K型成長島13Aを形成し、S-K型成長島13Aの構成材料とは異なる材料(例えばGaAs)であって、且つ、厚さがS-K型成長島13Aの高さ以下である第1オーバ・グロース層14を形成し、熱処理を施してS-K型成長島13Aの頂部を蒸発若しくは横方向に展延して高さを第1オーバ・グロース層14の表面に合わせる。
請求項（抜粋）：
歪み系ヘテロ結晶を成長させる初期に生成され且つ高さが全面を覆う第1オーバ・グロース層の厚さに合わせて均一化されたS-K型成長島からなることを特徴とする半導体量子ドット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/06
, H01L 21/203 M
