半導体機器及びその製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-540385
公開番号（公開出願番号）：特表2009-528670
出願日： 2007年05月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

本発明の半導体機器は、酸化亜鉛からなる酸化物半導体薄膜層(3)を有する。そして、酸化物半導体薄膜層の少なくとも一部が基板(1)表面に対して垂直方向に(002)結晶面が優先配向状態を有し、該(002)結晶面の格子面間隔d002が、2.619Å以上であることを特徴とする。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された酸化亜鉛からなる酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子を含む半導体機器であって、前記酸化物半導体薄膜層の少なくとも一部は基板に対して垂直方向に(002)結晶面が優先配向状態を有し、前記(002)結晶面の格子面間隔d002が2.619Å以上であることを特徴とする半導体機器。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 618A

Fターム (29件)：

5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-389846 出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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