微細レジストパターン形成方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066889
公開番号（公開出願番号）：特開2001-255670
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンの倒壊や変形を起こすことなく高アスペクト比の微細レジストパターンを形成でき、またレジスト残渣を除去できる微細レジストパターン形成方法および装置を得る。【解決手段】基板上に所望レジストパターンよりも所定寸法だけ大きなレジストパターンを形成し、レジストパターンが所定寸法だけ小さくなるようにオゾンガス雰囲気に曝して侵食させ、もって所望の微細なレジストパターンを得る。また、オゾンガス雰囲気に曝す工程が、レジストパターンに関連して残っているレジスト残渣が除去されるようにする工程を含み、もってレジスト残渣を除去する。

請求項（抜粋）：

基板上に所望寸法の所望レジストパターンよりも所定寸法だけ大きなレジストパターンを形成し、上記レジストパターンが上記所定寸法だけ小さくなるように、上記レジストパターンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記所望レジストパターンを得ることを特徴とする微細レジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (4件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 570 , H01L 21/302 J

Fターム (15件)：

2H096AA25 , 2H096HA24 , 2H096HA25 , 2H096HA30 , 2H096LA30 , 5F004AA09 , 5F004BA08 , 5F004BB18 , 5F004DA27 , 5F004DB26 , 5F004EA01 , 5F046LA18 , 5F046LB10 , 5F046MA13 , 5F046MA19

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-302427
半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-259238 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-302427

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